主要技术内容
本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。
本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；
2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；
3） 以上的晶圆级及封装级产品。
适用范围
本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。
本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；
2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；
3） 以上的晶圆级及封装级产品。
是否包含专利
否
