主要技术内容
本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。
本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；
b) GaN集成功率电路；
c) 以上的晶圆级及封装级产品。
适用范围
本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。
本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；
b) GaN集成功率电路；
c) 以上的晶圆级及封装级产品。
是否包含专利
否
