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ICS
31
团体标准
T/CASAS 003—2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
2019-12-02发布
2018-11-20实施
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布
现行
T/CASAS 003—2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
4H-SiC Epitaxial Wafers for p-IGBT Devices
公布日期:2019-12-02
发布日期:2018-11-20
实施日期:2018-11-20
所属团体:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准发布公告
分类信息
国际标准分类
31 电子学 -> 31.080 半导体分立器件 -> 31.080.01 半导体器分立件综合
中国标准分类
-
国民经济分类
A 农、林、牧、渔业 -> A01 农业 -> A011 谷物种植 -> A0111 稻谷种植
研制信息
起草单位
东莞市天域半导体科技有限公司
全球能源互联网研究院有限公司
中国电子科技集团公司第五十五研究所
株洲中车时代电气股份有限公司
山东天岳晶体材料有限公司
中国科学院微电子研究所
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
山东大学
台州市一能科技有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
深圳第三代半导体研究院
起草人
孙国胜
李锡光
杨 霏
柏 松
李诚瞻
高玉强
许恒宇
冯 淦
胡小波
张乐年
房玉龙
范围
主要技术内容
SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件,如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。 从结构上看,n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似,所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底,为了制造n沟道IGBT器件材料,需要使用反转型n沟道IGBT器件结构,制造工艺复杂。 与n沟道IGBT相比,p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单,而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底,即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料,正是该p+型漂移层,使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能。
适用范围
是否包含专利
否
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