主要技术内容
本标准从半导体晶片激光刻字的检测需求出发，从以下方面对白光干涉法测量刻字深度作出了规范：
（1）原理
白光干涉法利用宽带光源（通常为白光）产生干涉条纹来分析表面形貌。该方法通过垂直扫描样品表面，捕捉干涉条纹的变化，进而重建三维表面高度信息。刻字深度可以通过对刻字区域与未刻字参照区域的高度差进行计算获得。
（2）试验条件
标准规定了进行激光刻字深度测量的环境条件，包括温度、湿度、振动控制和洁净度要求，确保测量结果的可靠性和可重复性。
（3）仪器设备
标准规范了白光干涉仪的性能要求，包括光源特性、光学系统参数、扫描范围与精度、探测器性能等关键指标，以及测量过程中的仪器校准要求。
（4）样品
标准对测量样品提出了明确要求，包括样品的一般要求、激光刻字要求、样品制备与处理方法，以及测量区域的选择原则。
（5）试验步骤
试验步骤分为准备工作、低倍数深度均匀性评估和高倍数单点深度精确测量三个阶段。低倍数测量用于评估刻字区域整体深度的均匀性，高倍数测量则用于获得刻字底部与晶片表面的精确高度差值。
（6）试验数据处理
标准规定了数据处理流程、深度值提取步骤、结果表示方法以及异常值处理原则。通过一系列步骤，可有效排除噪声和局部异常值对测量结果的干扰。
（7）精密度和测量不确定度
标准规定了精密度的评估方式，分析了测量不确定度的主要来源（包括仪器校准、环境波动、样品定位、数据处理等），并给出了测量不确定度的评估方法。
（8）试验报告
标准规定了试验报告应包含的内容，包括样品信息、试验条件、测量参数、测量结果及其不确定度等。
（9）附录
标准附录提供了碳化硅晶片激光刻字深度测量的结果示例，以资料性形式辅助使用者理解和应用标准。
适用范围
本文件规定了半导体晶片激光刻字深度的白光干涉检测方法，包括原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度和测量不确定度以及报告。
本文件适用于采用白光干涉技术对包括切割片、研磨片和抛光片在内的半导体晶片（含硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝等）的激光刻字深度的测量。
是否包含专利
否
