主要技术内容
本文件针对SiC MOSFET功率模块在方波脉冲电压下的局部放电试验，制定了系统的技术规范。其核心内容涵盖仪器设备配置、样品制备方法和试验步骤，明确规定了方波脉冲发生装置的参数（上升/下降时间0.04 μs～1 μs、重复频率0～100 kHz、占空比5%～95%），并推荐了三种局部放电检出方式（耦合电容配合检测阻抗、高频电流传感器、天线耦合），同时要求信号处理系统具备从强位移电流和电磁干扰中有效提取放电脉冲的能力。
文件详细规定了两种主要试验类型：一是测量局部放电起始/熄灭电压（PDIV/PDEV）及其重复性指标（RPDIV/RPDEV），采用台阶式升降压法，以十次脉冲中出现五次放电为判据；二是通过性试验，施加1.5倍额定电压持续1分钟后降至1.1倍额定电压再测放电量，验收准则由制造商规定（典型值10 pC或50 pC）。此外，还给出了放电量标定方法（通过电荷校准器建立刻度因数）、灵敏度检查流程，以及完整的样品制备要求（端子短接、等效封装模型、接地等）。
附录提供了丰富的工程指导，包括封装典型放电形式（内部放电、表面放电、电晕放电）、滤波与天线/HFCT联用的干扰抑制实例、检测阻抗校准电路及电荷量换算公式，并附有标准试验记录表。整个标准兼顾了基础研究和产品检验需求，为评估SiC MOSFET模块封装绝缘可靠性提供了可操作的技术依据。
适用范围
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率模块局部放电试验方法，包括：仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理以及试验报告。
本文件适用于对SiC MOSFET功率模块封装绝缘可靠性的评估。
是否包含专利
否
