主要技术内容
局部放电（partial discharge, PD）会产生电磁和声波信号，辐射光并会造成绝缘材料的化学分解； 这些物理和化学的效应可以通过各类诊断性方法及相应的传感器进行检测。其中，应用声学法测量电力 设备绝缘缺陷产生的PD，通常可选用基于压电或声光效应的传感器。随着制造加工技术的发展，针对利用MEMS（Microelectromechanical System）技术制作PD EFPI（Extrinsic Fabry-Perot Interferometer）光纤超声传感器探头被大量采用，本文件针对“局部放电EFPI光纤超声传感器探头MEMS制造技术”，对“残余应力测 定与调控规程”进行描述，主要包括残余应力的分类与来源、应力测定以及应力调控，适用于电力设备PD EFPI超声传感器探头SOI芯片的残余应力测定与调控。
适用范围
本文件规定了采用MEMS技术制作局部放电EFPI光纤超声传感器探头时SOI硅片敏感结构的残余应力测定与调控，包括残余应力的分类与来源、应力测定以及应力调控。
本文件适用于电力设备局部放电EFPI超声传感器探头SOI芯片的残余应力测定与调控。
是否包含专利
否
