主要技术内容
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如新能源汽车、航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频等极端环境下工作的电子器件。栅极电荷是评价器件特性的关键参数，特别是对于开关和驱动器损耗估计，完整提取开关过程中不同阶段电荷，对器件性能评估以及外围电路设计具有重要意义。
由于负压关断、阈值偏移、漏致势垒降低效应等多因素影响，SiC MOSFET的栅极电荷特性与传统的硅基MOSFET存在显著区别。为此，本文件给出了SiC MOSFET开关过程中不同阶段栅极电荷定义，并相应提供了栅极电荷试验及数据处理方法。
适用范围
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的栅极电荷试验方法，包括：试验原理、试验电路、试验条件以及数据处理方法。
本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件特性表征及可靠性试验等工作场景，可用于以下试验目标器件：
a） 增强型N沟道垂直SiC MOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；
b） 含增强型N沟道垂直SiC MOSFET器件的功率模块。
是否包含专利
否
