主要技术内容
主要技术内容：
本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。
本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。
本标准T/CASAS 064-202X《应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试方法》（V2修订版征求意见稿）是针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）器件的动态测试回路杂感测试方法的团体标准，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布。标准主要包含以下技术条款：
(1) 关键定义。该部分包含了适用范围、规范性引用文件、术语定义和符号和缩略语，概括了标准所适用的被测器件，以及定义了标准中所使用的专业术语规范。
(2) 测试电路与测试条件。该部分包含了测试回路、测试原理和测试条件，描述了标准规定的测试回路和关键的回路杂感计算依据。
(3) 测试方法。该部分包含了测试系统搭建、测试系统构成、测试方法和选择功率端子测量点原因说明。该部分详细阐述了测试系统的各个构成部分和搭建方法，以及详细论证了选择SiC MOSFET器件功率端子采集电压来计算回路杂感的原因。
(4) 测量结果与计量方法。该部分描述了在关断过程采集电压斜率来计算回路杂感的原理。
适用范围
本文件描述了双脉冲测试条件下对应用于SiC MOSFET功率器件动态测试回路杂感测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。
本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。
是否包含专利
否
