中国中小商业企业协会自我承诺
中国中小商业企业协会发布的T/CASME 2136—2026《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CASME》制定。T/CASME 2136—2026《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国中小商业企业协会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国中小商业企业协会
2026年02月05日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国中小商业企业协会 | ||
| 登记证号 | 50001136-3/社证字第3320号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 信息交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 杨斐 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市西城区航空胡同32号 | 邮编 : 100035 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CASME 2136—2026 | ||
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法 | ||
| 英文标题 | High temperature gate constant bias and alternating bias test method for silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFETs) | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | L 40/49 | ||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2026年01月30日 | ||
| 实施日期 | 2026年03月01日 | ||
| 起草人 | 张国斌、柏松、张见营、张珺、郭宇锋、李银乐、刘红辉、裘俊庆、杨程、黄润华、陈谷然、李小建、袁俊、李华、任国静、张亚栋 | ||
| 起草单位 | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司、中国计量科学研究院、南京邮电大学、工业和信息化部电子第五研究所、扬州扬杰电子科技股份有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、湖北九峰山实验室、华兴中科标准技术（北京）有限公司、通标国华标准技术咨询（北京）有限公司 | ||
| 范围 | 本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）分立器件（其他封装产品可参照执行）。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力的试验环境要求、试验设备要求、试验方法、失效判定规则和试验报告。 | ||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2026/2/5 14:50:18 | ||
*由中国中小商业企业协会于2026/2/5 14:50:18在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2026/2/5 14:50:18
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