中国开发区协会自我承诺
中国开发区协会发布的T/CADZ 0059—2025《电子器件用六方氮化硼纳米片技术要求》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CADZ》制定。T/CADZ 0059—2025《电子器件用六方氮化硼纳米片技术要求》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国开发区协会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国开发区协会
2026年01月16日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国开发区协会 | ||
| 登记证号 | 51100000500014994L | 发证机关 | 民政部 |
| 业务范围 | 信息交流、理论研究、业务培训、国际合作、咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 王磊 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市东直门外大街胡家园小区23号 | 邮编 : 100027 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CADZ 0059—2025 | ||
| 中文标题 | 电子器件用六方氮化硼纳米片技术要求 | ||
| 英文标题 | Technical requirements for hexagonal boron nitride nanosheets for electronic devices | ||
| 国际标准分类号 | 81.060.99 有关陶瓷的其他标准 | ||
| 中国标准分类号 | Q 32 | ||
| 国民经济分类 | C3990 其他电子设备制造 | ||
| 发布日期 | 2025年12月31日 | ||
| 实施日期 | 2025年12月31日 | ||
| 起草人 | 李强、曾飞、周康、殷红、薛彦明、宋宝田、高伟。 | ||
| 起草单位 | 西安交通大学、宝应交创电力装备科技有限公司、天元（宜昌）新材料科技有限公司、吉林大学、河北工业大学。 | ||
| 范围 | 本文件规定了电子器件用六方氮化硼纳米片（h-BNNS）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用剥离法或化学气相沉积法（CVD）制备的，用于射频（RF）器件、功率半导体器件、柔性电子器件、量子点发光二极管（QLED）及二维异质结等电子器件的六方氮化硼纳米片。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件规定了电子器件用六方氮化硼纳米片（h-BNNS）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用剥离法或化学气相沉积法（CVD）制备的，用于射频（RF）器件、功率半导体器件、柔性电子器件、量子点发光二极管（QLED）及二维异质结等电子器件的六方氮化硼纳米片。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2026/1/15 17:04:56 | ||
*由中国开发区协会于2026/1/15 17:04:56在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2026/1/15 17:04:56
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