中国商品学会自我承诺
中国商品学会发布的T/CS 213—2025《金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CS》制定。T/CS 213—2025《金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国商品学会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国商品学会
2026年01月20日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国商品学会 | ||
| 登记证号 | 51100000500017722H | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 理论研究、学术交流、业务培训、书刊编辑、咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 陈冠 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区175号中国人民大学资料楼 | 邮编 : 100086 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CS 213—2025 | ||
| 中文标题 | 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法 | ||
| 英文标题 | Test method for DC parameters of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET） | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.99 其他半导体分立器件 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2026年01月08日 | ||
| 实施日期 | 2026年01月23日 | ||
| 起草人 | 周国成、汪翱翔、戴九梅、钱秋茹、钱晨凯、窦云轩、王梁、袁宝弟、管新辰、钱裕香、周春晓、沈嘉琦、刘春苗、沈宏军、阮佟、张悦 | ||
| 起草单位 | 无锡矽鹏半导体检测有限公司、常州佑仕达智能装备有限公司、中微龙图电子科技无锡有限责任公司、无锡市软测认证有限公司、扬州亿芯微电子有限公司、福思特电子商务（南京）有限公司 | ||
| 范围 | 本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的测试。 | ||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2026/1/15 14:45:58 | ||
*由中国商品学会于2026/1/15 14:45:58在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2026/1/15 14:45:58
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