中国电子学会自我承诺
中国电子学会发布的T/CIE 304—2025《半导体集成电路静态随机存储器（SRAM）测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CIE》制定。T/CIE 304—2025《半导体集成电路静态随机存储器（SRAM）测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国电子学会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国电子学会
2025年12月24日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国电子学会 | ||
| 登记证号 | 社证字第4079号 | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 学术交流 教育普及 书刊编辑 评审鉴定 专业展览 咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 陈英 | ||
| 依托单位名称 | 中华人民共和国工业和信息化部 | ||
| 通讯地址 | 北京市玉渊潭南路普惠南里13号 | 邮编 : 100036 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CIE 304—2025 | ||
| 中文标题 | 半导体集成电路静态随机存储器（SRAM）测试方法 | ||
| 英文标题 | |||
| 国际标准分类号 | 31.200 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | I659 其他信息技术服务业 | ||
| 发布日期 | 2025年03月31日 | ||
| 实施日期 | 2025年04月01日 | ||
| 起草人 | 许凯、高大为、王爽、吴永玉、陈燕宁、赵斌。 | ||
| 起草单位 | 浙江大学、北京智芯微电子科技有限公司、浙江创芯集成电路有限公司、广州粤芯半导体技术有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、浙江大学杭州国际科创中心。 | ||
| 范围 | |||
| 主要技术内容 | 本文件规定了半导体集成电路静态随机存储器测试设备和装置、测试条件和测试方法。 本文件适用于半导体集成电路静态随机存储器的开短路测试、电性测试、静态噪声容限测试和功能测试验证方法。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/12/24 15:36:34 | ||
*由中国电子学会于2025/12/24 15:36:34在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/12/24 15:36:34
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