深圳市半导体产业发展促进会自我承诺
深圳市半导体产业发展促进会发布的T/SZSA 034—2025《高速ESD&TVS保护类芯片测试规范》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_SZSA》制定。T/SZSA 034—2025《高速ESD&TVS保护类芯片测试规范》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
深圳市半导体产业发展促进会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
深圳市半导体产业发展促进会
2025年12月22日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 深圳市半导体产业发展促进会 | ||
| 登记证号 | 51440300785252338Q | 发证机关 | 深圳市民政局 |
| 业务范围 | 咨询服务、行业规划、协调促进行业发展、展览展示、信息发布、对外交流、会员培训、开展国内外经济、技术合作交流等大型会议活动。 | ||
| 法定代表人/负责人 | 鲍恩忠 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 广东省深圳市新安街道兴东社区留仙大道2号汇聚创新园2栋2414 | 邮编 : 518000 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/SZSA 034—2025 | ||
| 中文标题 | 高速ESD&TVS保护类芯片测试规范 | ||
| 英文标题 | High-speed ESD & TVS protection chip test specifications | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | L40 | ||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2025年12月22日 | ||
| 实施日期 | 2026年01月01日 | ||
| 起草人 | 杜飞波、侯飞、高东兴、郑义、万里佳、李菀婷、董小雨、蔡纯、刘继芝、孙肖林、鲍恩忠、袁路平、冯溪渊、杜志华、顾岚雁、魏国栋、张晓、李昆华、黄玮、赵俊露、曹飞龙、陈冬山、葛柱、古成、洪育铠、张开明、陈海文、唐顺柏、冯白华、李强、秦波、林楷辉、田铮、周刚、谭超。 | ||
| 起草单位 | 深圳市晶扬电子有限公司、深圳市计量质量检测研究院、电子科技大学（深圳）高等研究院、南京工业职业技术大学-集成电路学院、深圳市半导体产业发展促进会、西北工业大学-微电子学院、深圳市南方硅谷半导体股份有限公司、深圳市金誉半导体股份有限公司、深圳深爱半导体股份有限公司、深圳大学-电子与信息工程学院、江苏信息职业技术学院-微电子学院、无锡科技职业学院-集成电路学院、深圳市智微智能科技股份有限公司、东莞平晶微电子科技有限公司、深圳市长运通半导体技术有限公司、深圳市志忠微电子有限公司、隼瞻科技（广州）有限公司、深圳市华南英才科技有限公司、深圳市依崇微电子科技有限公司、深圳市三一联光智能设备股份有限公司、芯创（天门）电子科技有限公司、深圳市德博微电子有限公司、锐石创芯（深圳）半导体有限公司、柯泰光芯(常州)测试技术有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司、深圳市芯通康科技有限公司。 | ||
| 范围 | 本标准规定了 HDMI、USB 等主流高速接口的 TVS 选型参数（包括工作电压、极性、电容等），明确了不同接口类型的 TVS 选型依据，同时规定了高频电容、S 参数、瞬态过冲电压等关键指标的测试流程及设备校准规范（如 TRL 校准）。本标准适用于主流高速接口（如 HDMI、USB 接口）的 TVS 器件选型设计，以及高频电容、S 参数、瞬态过冲电压等关键指标的测试与设备校准工作，可为应用端降低接口设计难度、确保不同测试机构的测试数据可比性提供依据。 | ||
| 主要技术内容 | 随着信息技术的飞速发展，HDMI、USB、Ethernet、PCIe 等高速接口已广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域，数据传输速率从几 Gbps 向数十 Gbps 跃升。高速接口在提升信息交互效率的同时，其对静电放电（ESD）和浪涌（Surge）的敏感性显著增加，ESD&TVS 保护类芯片作为抵御瞬态干扰的核心器件，其性能直接影响电子设备的可靠性与信号完整性。 现有标准多聚焦于通用 TVS 器件的基础指标，对高速场景下的选型、高频测试方法（如矢量网络分析仪校准、眼图测试）覆盖不足，造成产业链上下游（芯片厂商、设备制造商、测试机构）技术对接成本高、产品兼容性差。 为解决上述问题，本标准统一 HDMI、USB 等主流高速接口的 TVS 选型参数（工作电压、极性、电容等），为不同接口类型提供明确的选型依据，降低应用端设计难度；明确高频电容、S 参数、瞬态过冲电压等关键指标的测试流程及设备校准规范（如TRL校准），确保不同测试机构的测试数据具有可比性；指导企业在电路布局、多级防护配合等方面进行科学设计，提升设备可靠性。 本标准的制定与实施，将有效解决高速 ESD&TVS 保护类芯片在选型和测试中存在的问题，推动行业技术标准化，助力电子设备向高速化、高可靠性方向发展，为产业链上下游提供统一的技术规范和合作基础。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/12/22 16:42:59 | ||
*由深圳市半导体产业发展促进会于2025/12/22 16:42:59在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/12/22 16:42:59
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