中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟）自我承诺
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟）发布的T/CSA 102—2025《异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CSA》制定。T/CSA 102—2025《异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟）在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟）
2025年12月19日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟） | ||
| 登记证号 | 0011820 | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 组织半导体照明技术研发及推广应用；开展技术咨询、专利服务、专业培训和信息服务；制定技术标准，开展检测、认证；承接政府委托；开展国际交流与合作。 | ||
| 法定代表人/负责人 | 阮军 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所5号楼5层 | 邮编 : 100083 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CSA 102—2025 | ||
| 中文标题 | 异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法 | ||
| 英文标题 | |||
| 国际标准分类号 | 31.080.99 其他半导体分立器件 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2025年10月30日 | ||
| 实施日期 | 2025年10月30日 | ||
| 起草人 | 刘强、吴载炎、丁晓民、庄文荣、李本亮、顾慧慧、颜建锋、康香宁、刘志彬、苏旭军、修向前、朱广敏、孙昕、肖飞晨。 | ||
| 起草单位 | 北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督监测中心、深圳民爆光电股份有限公司、北京大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、南京大学、京东方华灿光电（浙江）有限公司、中关村半导体照明联合创新重点实验室（宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室）、普雷赛斯（苏州）智能科技有限公司。 | ||
| 范围 | |||
| 主要技术内容 | T/CSA 102—2025描述了使用白光干涉法测试异质外延单一结构的氮化镓外延层厚度的原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度，以及试验报告。文件适用于异质外延氮化镓外延层厚度（范围为11 μm至43 μm）的测试。AlN、InN、AlGaN和InGaN在异质外延上的单一结构膜层厚度的测试也可参照本文件执行。 | ||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2025/12/19 16:26:31 | ||
*由中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟）于2025/12/19 16:26:31在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/12/19 16:26:31
评论