中国电子材料行业协会自我承诺
中国电子材料行业协会发布的T/CEMIA 051—2025《氧化镓单晶位错密度测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CEMIA》制定。T/CEMIA 051—2025《氧化镓单晶位错密度测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国电子材料行业协会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国电子材料行业协会
2025年12月15日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国电子材料行业协会 | ||
| 登记证号 | 51100000500003195B | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 行业管理，信息交流，业务培训，国际合作，咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 潘林 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市朝阳区胜古中路2号院5号楼金基业大厦711/716室 | 邮编 : 100029 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CEMIA 051—2025 | ||
| 中文标题 | 氧化镓单晶位错密度测试方法 | ||
| 英文标题 | Test method for dislocation density of monocrystal gallium oxide | ||
| 国际标准分类号 | 77.040.99 金属材料的其他试验方法 | ||
| 中国标准分类号 | H21 | ||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2025年12月12日 | ||
| 实施日期 | 2026年01月01日 | ||
| 起草人 | 刘莹莹、夏宁、张辉、董增印、李贺、徐光伟、周选择、王元刚、何云龙、叶建东、裴艳丽、张文瑞、杨德仁、金竹、齐红基、许照原、张道华、翟小林、周大顺、魏杰、王国鹏、杨伟锋、张晓东、胡继超、张赫之、梅增霞、袁俊、刘少煜、邹兆军、黄文海 | ||
| 起草单位 | 杭州镓仁半导体有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学技术大学、中国电子科技集团公司第十三研究所、西安电子科技大学、南京大学、中山大学、甬江实验室、浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、杭州富加镓业科技有限公司、进化半导体有限公司、深圳平湖实验室、华润微电子有限公司、NEXTGO EPI UG、电子科技大学、安徽大学、厦门大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、镓创未来半导体科技(晋江)有限公司、大连理工大学、中国科学院东莞材料科学与技术研究院、湖北九峰山实验室、杭州芯创德半导体有限公司、西南大学、香港科技大学 | ||
| 范围 | 本文件规定了氧化镓单晶位错密度的测试方法。 本文件适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2～50000个/cm2的氧化镓单晶位错密度的测试，检测面为{100}、{010}、{001}面。 | ||
| 主要技术内容 | 本标准规定了氧化镓单晶位错密度的测量方法。 本标准适用于抛光加工后位错密度为0个cm~100000个/cm的氧化镓单晶位错密度的测量，检测面为{100}、{010}、{001}面。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/12/15 14:40:26 | ||
*由中国电子材料行业协会于2025/12/15 14:40:26在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/12/15 14:40:26
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