中国国际科技促进会自我承诺
中国国际科技促进会发布的T/CI 1181—2025《半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备通用技术规范》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CI》制定。T/CI 1181—2025《半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备通用技术规范》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国国际科技促进会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国国际科技促进会
2025年12月15日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国国际科技促进会 | ||
| 登记证号 | 51100000500017650Q | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 技术开发 信息交流 专业展览 业务培训 咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 许军 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区中关村东路89号恒兴大厦13F | 邮编 : 100190 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CI 1181—2025 | ||
| 中文标题 | 半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备通用技术规范 | ||
| 英文标题 | General technical specification for plasma etching equipment for semiconductor wafer fabrication | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.99 其他半导体分立器件 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C356 电子和电工机械专用设备制造 | ||
| 发布日期 | 2025年09月30日 | ||
| 实施日期 | 2025年09月30日 | ||
| 起草人 | 赵公魄、田修波、莫科伟、张心凤、朱昆、胡恒宁、耿慧远、杜昊、姜金龙、陈亚梯、丁雪苗、伍志军、夏正卫、李彬、施杰、唐正强、邵明昊、王树晓、赵小安。 | ||
| 起草单位 | 珠海宝丰堂半导体股份有限公司、新铂科技(东莞)有限公司、吉姆西半导体科技(无锡)股份有限公司、安徽纯源镀膜科技有限公司、广东省新兴激光等离子体技术研究院、成都工具研究所有限公司、哈尔滨工业大学、贵州大学、烟台先进材料与绿色制造山东省实验室、深圳市瀚强科技股份有限公司。 | ||
| 范围 | 本文件规定了半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 本文件适用于半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件规定了半导体晶圆制造用等离子体刻蚀设备的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存。 | ||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2025/12/14 14:50:28 | ||
*由中国国际科技促进会于2025/12/14 14:50:28在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/12/14 14:50:28
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