北京第三代半导体产业技术创新战略联盟自我承诺
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 54—2025《氮化铝晶片吸收系数测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CASAS》制定。T/CASAS 54—2025《氮化铝晶片吸收系数测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2025年11月17日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 | ||
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CASAS 54—2025 | ||
| 中文标题 | 氮化铝晶片吸收系数测试方法 | ||
| 英文标题 | Test method for the absorption coefficient of AlN polished wafers | ||
| 国际标准分类号 | 29.045 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2025年05月20日 | ||
| 实施日期 | 2025年05月20日 | ||
| 起草人 | 刘志彬、吴亮、于彤军、程红娟、张雷、徐广源、张童、王新强、宋德鹏、高伟。 | ||
| 起草单位 | 中国科学院半导体研究所、奥趋光电技术(杭州)有限公司、北京大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东大学、山西中科潞安紫外光电科技有限公司、山西中科潞安半导体技术研究院有限公司、北京大学东莞光电研究院、山东力冠微电子装备有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 | ||
| 范围 | 氮化铝(AlN)是直接带隙半导体，具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率[3.2 W/(cm K)]、高表面声波速率(VL=10.13×105 cm/s，VT=6.3×105 cm/s)、高击穿场强（15.4 MV/cm）和稳定的物理化学性能，是紫外/深紫外发光材料的理想衬底，基于此衬底制作的AlxGa1-xN材料可以实现200 nm～365 nm波段内的连续发光；此外，AlN材料可以制作耐高压、耐高温、抗辐射和高频的电子器件。所以，AlN晶体在深紫外发光器件、高功率微波器件、抗辐照器件等领域具有巨大的市场潜力。 AlN单晶理论上对波长大于200 nm的光几乎完全透过，晶体成透明色。但是，目前生长出的AlN单晶多呈棕色或暗棕色，对深紫外波段(200 nm～300 nm)的光有较强的吸收，从而影响基于AlN单晶衬底的深紫外发光器件性能。这些吸收主要由AlN单晶缺陷所致，包括碳、氧、硅杂质，以及各种点缺陷。同时，这些缺陷会成为深能级施主或受主使得由AlN衬底制备的光电子器件性能下降。 透射率/吸收系数是AlN晶片衬底非常重要的特征参数，一定程度上代表了作为发光器件衬底材料的质量。因此，AlN晶片透射率/吸收系数，特别是特定波长范围的透射率/吸收系数，对AlN衬底晶片的应用具有重要意义。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件描述了氮化铝（AlN）抛光片光吸收系数的测试方法，包括原理、仪器设备、测试条件、样品、测试步骤、结果计算和测试报告。 本文件适用于氮化铝抛光片的光学质量控制和评估。氮化铝外延片可参照使用。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/11/17 10:43:13 | ||
*由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟于2025/11/17 10:43:13在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/11/17 10:43:13
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