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　　中国电工技术学会发布的T/CES 357—2025《电阻法碳化硅单晶生长设备》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CES》制定。T/CES 357—2025《电阻法碳化硅单晶生长设备》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
　　中国电工技术学会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。

中国电工技术学会
2025年10月15日

团体详细信息
团体名称	中国电工技术学会
登记证号	51100000500006049	发证机关	中华人民共和国民政部
业务范围	学术交流、国际合作、专业展览、业务培训、书刊编辑、咨询服务
法定代表人/负责人	贾利民
依托单位名称
通讯地址	北京市西城区莲花池东路102号天莲大厦10层		邮编 : 100055

标准详细信息
标准状态	现行
标准编号	T/CES 357—2025
中文标题	电阻法碳化硅单晶生长设备
英文标题	Silicon carbide single crystal growth equipment by resistance (heating) method
国际标准分类号	25.180.10 电炉
中国标准分类号	K 61
国民经济分类	D4430 热力生产和供应
发布日期	2025年04月30日
实施日期	2025年05月03日
起草人	陈建明、张礼华、陈曙光、余维江、蔡金荣、李琨、李留臣、冯宏剑、王叶 松、梁潇文、裴永胜、袁长路、赵文超、吴艳美
起草单位	苏州优晶半导体科技股份有限公司、江苏科技大学、西安电炉研究所有限公 司、陕西晶芯高能科技有限公司、西北大学
范围	本标准规定了电阻法碳化硅单晶生长设备的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于采用电阻加热方式,基于物理气相传输法(Physical Gas Transport,PVT)生长半导体碳化硅的单晶生长设备。
主要技术内容	本标准是针对采用电阻加热与物理气相传输法生长半导体碳化硅单晶的关键装备所制定的团体标准。该标准详细规定了设备的分类、技术要求、试验方法及检验规则，其核心在于通过精密的热场与真空控制，实现高质量、大尺寸碳化硅单晶的制备。 设备按生成晶锭的直径分为主流规格，涵盖2英寸至12英寸系列，以满足不同应用场景对晶圆尺寸的需求。其核心技术体系由主机、真空系统、充气系统、水冷系统、加热电源及热场组件等构成，炉体通常设计为内热式水冷结构。在性能上，设备对真空度与密封性有极高要求，空炉抽气至工作真空度的时间不得超过60分钟，且在室温下关闭阀门保压2小时后，系统的压升率须优于每小时2.5帕，这确保了生长腔室的高度洁净与稳定。 温度控制是晶体质量的决定性因素。标准要求坩埚核心区的生长温度被精确维持在2100摄氏度至2300摄氏度的高温区间，并且整个炉温的稳定度偏差不得超过正负0.5摄氏度，这为晶体的一致性和低缺陷率提供了保障。设备的机械运动精度同样关键，负责支撑物料和晶体的坩埚轴，其运动参数的实际值与设定值的相对偏差不大于百分之五，速度波动不超过正负百分之二，同时坩埚轴与下炉盖的同轴度及径向圆跳动需控制在正负0.1毫米以内，这些指标共同确保了晶体生长过程中界面稳定和材料均匀输运。 在支持系统方面，水冷系统需有效控制炉壳表面温升，并对冷却水水质提出了明确要求，例如酸碱度、氯离子和悬浮物含量等，以防止结垢和腐蚀。控制系统应实现高度自动化，具备自适应温度调节、精确的真空度测量以及完善的工艺过程监控与报警保护功能。最终，一台合格的设备所生长的碳化硅单晶，在其有效面积内应无多晶多型现象，且微管密度需不大于每平方厘米0.5个，这直接体现了设备的技术水平和产出晶体的内在质量。该标准通过系统性的参数界定与严格的测试方法，为第三代半导体关键材料的生产装备建立了可靠的技术基准。
是否包含专利信息	否
标准文本	不公开

标准公告
标准发布公告	2025/10/13 15:49:17