中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟自我承诺
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布的T/IAWBS 025—2025《碳化硅器件功率循环试验方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_IAWBS》制定。T/IAWBS 025—2025《碳化硅器件功率循环试验方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
2025年09月24日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0117961F | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 产业技术研发、科技成果转化、信息平台与专业数据库建设、自主品牌推广、专业咨询培训与会展、承接政府委托、国际交流与合作、团体标准制定。 | ||
| 法定代表人/负责人 | 刘祎晨 | ||
| 依托单位名称 | 无 | ||
| 通讯地址 | 北京市大兴区黄村镇丰远街1号院510办公室 | 邮编 : 102699 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/IAWBS 025—2025 | ||
| 中文标题 | 碳化硅器件功率循环试验方法 | ||
| 英文标题 | Power cycling test methods for silicon carbide power devices | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | 中国 | ||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2025年09月24日 | ||
| 实施日期 | 2025年10月10日 | ||
| 起草人 | 张瑾，邹欣宇，王智强，傅金源，郭兴华，刘祎晨 | ||
| 起草单位 | 中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、 华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 | ||
| 范围 | 本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤。 | ||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2025/9/24 17:42:47 | ||
*由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟于2025/9/24 17:42:47在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/9/24 17:42:47
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