中关村光电产业协会自我承诺
中关村光电产业协会发布的T/ZOIA 3020—2025《半导体磁阻元件技术规范》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_ZOIA》制定。T/ZOIA 3020—2025《半导体磁阻元件技术规范》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中关村光电产业协会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中关村光电产业协会
2025年09月18日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中关村光电产业协会 | ||
| 登记证号 | 51110000500316247B | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 开展数字内容产业的政策宣传、专题调研、专业培训、国内外合作交流、新技术新产品推广、展览展示、咨询服务、编辑专业刊物。 | ||
| 法定代表人/负责人 | 徐斌 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市朝阳区北土城西路16号友诚大厦217室 | 邮编 : 100029 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/ZOIA 3020—2025 | ||
| 中文标题 | 半导体磁阻元件技术规范 | ||
| 英文标题 | |||
| 国际标准分类号 | 31.080.99 其他半导体分立器件 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2025年06月16日 | ||
| 实施日期 | 2025年06月16日 | ||
| 起草人 | 肖广顺、何渊、朱忻 | ||
| 起草单位 | 苏州矩阵光电有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、昂赛微电子（上海）有限公司、西安中科阿尔法电子科技有限公司 | ||
| 范围 | |||
| 主要技术内容 | 1 范围 本标准规定了半导体磁阻元件技术规范（以下简称“SMR”）术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志包装运输和贮存。 本标准适用于半导体磁阻元件的验收、检测及性能实验。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 2423.1 电工电子产品环境试验 第 2部分：试验方法 试验 A：低温 GB/T 2423.2 电工电子产品环境试验 第 2部分：试验方法 试验 B：高温 GB/T 2423.22 环境试验 第 2部分：试验方法 试验 N：温度变化 IEC 61760-2 Surface Mounting Technology - Part 2: Transportation and Storage Conditions of Surface Mounting Devices (SMD) - Application Guide J-STD-020 JOINT IPC/JEDEC Standard Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Non-hermetic Surface Mount Devices (SMDs) JESD22-A101 Steady-State Temperature-Humidity Bias Life Test JESD22-A102D Accelerated Moisture Resistance – Unbiased Autoclave JESD22-A103 High Temperature Storage Life JESD22-A104 Temperature Cycling JESD22-A108 Temperature, Bias, And Operating Life JESD22-A110 Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST) JESD22-A113 Preconditioning Of Nonhermetic Surface Mount Devices Prior To Reliability Testing JESD22-A118 Accelerated Moisture Resistance - Unbiased Hast JESD22-B102E Solderability JESD47 Stress Test Driven Qualification Of Integrated Circuits JS-001 Human Body Model(HBM) JS-002 Charged Device Model(CDM) 3 术语和定义 GB/T 4475 中确立的以及下列术语和定义适用于本标准。 3.1 半导体磁阻SMR 当半导体材料处于外加磁场中时，载流子（电子或空穴）受洛伦兹力作用发生运动偏转，导致电流路径变化或散射概率增加，从而引起电阻值的改变，这一现象称为半导体磁阻效应。磁阻效应的强弱与半导体材料本身性质有关（物理磁阻效应），也与材料的几何形状相关（几何磁阻效应），使用半导体材料制备的用于检测磁场的元件被称为半导体磁阻元件（Semiconductor Magneto Resistance，SMR）。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/9/18 9:34:00 | ||
*由中关村光电产业协会于2025/9/18 9:34:00在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/9/18 9:34:00
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