北京第三代半导体产业技术创新战略联盟自我承诺
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 057—2025《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CASAS》制定。T/CASAS 057—2025《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2025年09月09日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 | ||
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CASAS 057—2025 | ||
| 中文标题 | 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法 | ||
| 英文标题 | Test method for continuous-switching operation reliability of GaN power devices under high frequency switched conditions | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2025年08月29日 | ||
| 实施日期 | 2025年08月29日 | ||
| 起草人 | 叶念慈、刘成、徐涵、严丹妮、许亚坡、刘扬、贺致远、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、罗卓然、向鹏、贾利芳、刘家才、菅端端、武乐可、孙海洋、耿霄雄、谢斌、刘强、高伟。 | ||
| 起草单位 | 厦门三安集成电路有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、中山大学、广东工业大学、电子科技大学（深圳）高等研究院、深圳平湖实验室、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、诸暨市氮矽科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏能华微电子科技发展有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、北京大学东莞光电研究院、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 | ||
| 范围 | 本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。 本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： 1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件； 3） 以上的晶圆级及封装级产品。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/9/5 14:10:22 | ||
*由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟于2025/9/5 14:10:22在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/9/5 14:10:22
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