北京第三代半导体产业技术创新战略联盟自我承诺
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 052—2025《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CASAS》制定。T/CASAS 052—2025《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2025年07月30日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 | ||
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CASAS 052—2025 | ||
| 中文标题 | 非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法 | ||
| 英文标题 | Online test method of GaN High-Electron-Mobility-Transistor under unclamped inductive switching | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2025年05月26日 | ||
| 实施日期 | 2025年05月26日 | ||
| 起草人 | 孙瑞泽、陈万军、明鑫、施宜军、黄火林、任开琳、魏进、刘强、曾威、王小明、石瑜、夏云、刘成、裴轶、孙海洋、耿霄雄、孙承志、陈希辰、高伟 | ||
| 起草单位 | 电子科技大学、工业和信息化部电子第五研究所、大连理工大学、上海大学、北京大学、北京大学东莞光电研究院、深圳平湖实验室、湖南三安半导体有限责任公司、苏州能讯高能半导体有限公司、杭州长川科技股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、佛山市联动科技股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 范围 | 本文件描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括原理、测试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。 本文件适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。 | ||
| 主要技术内容 | GaN HEMT器件在电动机驱动等感性负载的应用环境中，如果负载出现故障则需要立即关断负载和功率器件。此时感性负载元件中存储能量未能及时释放，器件漏极将承受较大的电压应力，使器件工作在非箝位感性负载开关（UIS）条件下。在确定GaN HEMT器件耐压安全裕度和性能边界时，研究UIS电应力作用下器件在线工作时的特性稳定性是十分必要的。通过调整UIS电应力生成电路，将器件漏极电压应力水平设置在额定电压与最大瞬态击穿电压之间，实现对器件工作特性进行在线测试与评估，同时避免因超过最大瞬态击穿电压而导致不可逆损坏。 GaN HEMT器件无寄生PN结，不能像Si基功率器件一样通过雪崩过流以耗散感性负载中储存的能量，同时GaN器件内部存在大量缺陷和陷阱，对载流子的俘获与发射导致器件性能变化存在时变特性，因此基于Si基功率器件的UIS电应力测试方法与退化机理无法直接应用于GaN HEMT。采用在线测试方法，分析单次或重复UIS电应力后GaN HEMT器件性能的变化，对揭示GaN HEMT器件在非箝位感性负载开关中的工作特性稳定性具有重要意义。此标准明确了在UIS电应力条件下的GaN HEMT器件动态导通电阻和阈值电压的在线测试方法，可实现UIS电应力结束后的微秒至毫秒时间内对器件动态导通电阻和阈值电压的在线测试。 本文件适用于封装级器件产品测试，为GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估提供依据，为GaN功率器件在电力电子系统中的推广应用奠定基础。 |
||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2025/7/30 11:15:37 | ||
*由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟于2025/7/30 11:15:37在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/7/30 11:15:37
评论