中国国际经济技术合作促进会自我承诺
中国国际经济技术合作促进会发布的T/CIET 1271—2025《碳化硅外延片制备技术规范 化学气相沉积法（CVD）》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CIET》制定。T/CIET 1271—2025《碳化硅外延片制备技术规范 化学气相沉积法（CVD）》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国国际经济技术合作促进会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国国际经济技术合作促进会
2025年05月14日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国国际经济技术合作促进会 | ||
| 登记证号 | 51100000500012876L | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 理论研究 技术交流 业务培训 书刊编辑 国际合作 咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 杨连子 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市通州区经海五路1号院45号楼1层5-101 | 邮编 : 101111 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CIET 1271—2025 | ||
| 中文标题 | 碳化硅外延片制备技术规范 化学气相沉积法（CVD） | ||
| 英文标题 | |||
| 国际标准分类号 | 29.045 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2025年05月08日 | ||
| 实施日期 | 2025年05月08日 | ||
| 起草人 | 刘薇、丁雄杰、胡智威、徐春阳、陈炳安、张志勤、黄朝辉、孔令沂、党帅、邢志刚、钟国仿、吴会旺、郑圣君、林云昊、林宝仪、黄善文、尹宝堂、肖蕴章、张国良、尹炯豪、刘岩、吴永利、汪贤峰、冀云、徐敬铭、包瑾、张桢。 | ||
| 起草单位 | 广东天域半导体股份有限公司、南京百识电子科技有限公司、蓝河科技（绍兴）有限公司、深圳市纳设智能装备股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、扬帆半导体（江苏）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司。 | ||
| 范围 | 本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。 本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件规定了化学气相沉积法制备4H碳化硅（SiC）外延片的基本要求、制备流程、质量保证、安全要求。 本文件适用于化学气相沉积法制备4H-SiC外延片的生产与检验。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 不公开 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/5/13 23:44:07 | ||
*由中国国际经济技术合作促进会于2025/5/13 23:44:07在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/5/13 23:44:07
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