北京第三代半导体产业技术创新战略联盟自我承诺
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 033—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CASAS》制定。T/CASAS 033—2024《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2025年04月16日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 | ||
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CASAS 033—2024 | ||
| 中文标题 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法 | ||
| 英文标题 | Switching dynamic test method for sillicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) power device | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2024年11月19日 | ||
| 实施日期 | 2024年11月19日 | ||
| 起草人 | 曾正、潘效飞、牛富丽、孙鹏、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、张兴杰、吴新科、孙文涛、赵爽、李俊焘、张太之、孙川、佘超群、陈媛、王丹丹、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、王来利、陈刚、王晓萍、黄海涛、杜凯、林晓晨、唐浩铭、李本亮、高伟。 | ||
| 起草单位 | 重庆大学、华润润安科技有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、杭州飞仕得科技有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、是德科技（中国）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、深圳麦科信科技有限公司、浙江大学、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院、合肥工业大学、中国工程物理研究院电子工程所、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、泰克科技（中国）有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、湖北九峰山实验室、中国电力科学研究院有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、东风汽车集团有限公司、智新半导体有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市新凯来技术有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 | ||
| 范围 | 得益于高压、高频、高温等优异特性，SiC功率器件在交通电气化、新能源发电等领域具有不可替代的作用。然而，SiC功率器件的额定电压更高、开关速度更快、工作温度更宽，突破了传统Si器件的技术边界，传统Si器件的开关动态测试方法，已无法满足SiC器件的新兴发展需求，给SiC功率器件的芯片设计、封装测试和装备研发，带来了严峻挑战。现有的SiC功率器件开关动态测试，由于缺乏定量的技术规范和测试方法，测试过程难以保证足够的精准和稳定；由于缺乏广泛的技术共识和行业认同，测试结果难以实现有效的溯源和评比。如何实现SiC功率器件的精准开关动态测试，已成为第三代半导体行业的痛点问题。 为了服务SiC功率器件行业的良性发展，应对SiC功率器件开关测试的紧迫需求，制定本文件。本文件详细规定了SiC MOSFET功率器件开关动态测试的电路、条件、仪器和方法。局限于当前对SiC MOSFET功率器件的认知程度，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据技术进展不断进行完善和升级。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。 本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiC MOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2025/4/16 9:44:36 | ||
*由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟于2025/4/16 9:44:36在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/4/16 9:44:36
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