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中国国际科技促进会自我承诺

  中国国际科技促进会发布的T/CI 610—2024《碳化硅单晶生长技术》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则,按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CI》制定。T/CI 610—2024《碳化硅单晶生长技术》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求,没有侵犯他人合法权益。
  中国国际科技促进会在自愿基础上作出本承诺,并对以上承诺内容的真实性负责。

中国国际科技促进会
2025年03月15日

团体详细信息
团体名称 中国国际科技促进会
登记证号 51100000500017650Q 发证机关 中华人民共和国民政部
业务范围 技术开发 信息交流 专业展览 业务培训 咨询服务
法定代表人/负责人 许军
依托单位名称
通讯地址 北京市海淀区中关村东路89号恒兴大厦13F 邮编 : 100190
标准详细信息
标准状态   现行
标准编号   T/CI 610—2024
中文标题   碳化硅单晶生长技术
英文标题   Silicon carbide single crystal growth technology
国际标准分类号   29.045
中国标准分类号   H83
国民经济分类   C398 电子元件及电子专用材料制造
发布日期   2024年11月25日
实施日期   2024年11月25日
起草人   赵丽丽、王宇、李季、欧阳鹏根、李天、胡动力、王新新、马康夫、顾鹏、张胜涛、王光耀、刘西洋、袁丽、雷沛。
起草单位   哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、眉山博雅新材料股份有限公司、绍兴晶彩科技有限公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、连科半导体有限公司、河北岚鲸光电科技有限公司。
范围   本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用物理气相传输法(PVT)进行碳化硅单晶生长的过程。
主要技术内容   本文件规定了碳化硅单晶生长的生产设备要求、原材料要求、工艺参数、质量检测、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
是否包含专利信息  
标准文本   不公开
标准公告
  标准发布公告 2025/3/12 14:35:51

*由中国国际科技促进会于2025/3/12 14:35:51在团体标准信息平台公布,最后修改时间:2025/3/12 14:35:51

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