中国国际科技促进会自我承诺
中国国际科技促进会发布的T/CI 512—2024《硅基厚金属膜电镀工艺技术规范》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CI》制定。T/CI 512—2024《硅基厚金属膜电镀工艺技术规范》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
中国国际科技促进会在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
中国国际科技促进会
2025年03月06日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 中国国际科技促进会 | ||
| 登记证号 | 51100000500017650Q | 发证机关 | 中华人民共和国民政部 |
| 业务范围 | 技术开发 信息交流 专业展览 业务培训 咨询服务 | ||
| 法定代表人/负责人 | 许军 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区中关村东路89号恒兴大厦13F | 邮编 : 100190 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CI 512—2024 | ||
| 中文标题 | 硅基厚金属膜电镀工艺技术规范 | ||
| 英文标题 | Technicalspecificationsforcriterionofthesilicon-basedthickmetalfilm electroplatingprocess | ||
| 国际标准分类号 | 25.220.40 金属镀层 | ||
| 中国标准分类号 | H01 | ||
| 国民经济分类 | C398 电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 发布日期 | 2024年09月18日 | ||
| 实施日期 | 2024年09月18日 | ||
| 起草人 | 赵晓光 、孙云娜 、李霁 、尹玉刚 、刘瑞涛 、边潍 、吴宇 、梅子麒 、梁潮 、宋志强 、 周元楷 、樊玉静 、丁明建 、任长友 、周东平 、王德周 。 | ||
| 起草单位 | 清华大学 、东南大学 、上海交通大学 、启元实验室 、中国航天科技集团公司九院 704所 、淄博高新技术产业开发区MEMS研究院 、广州天极电子科技股份有限公司 、深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司 、苏州厚朴传感科技有限公司 、北京旺凡科技有限公司 、北京高科中创科学技术中心 。 | ||
| 范围 | 本文件规定了硅基厚金属电镀工艺的加工能力 、保障条件 、材料 、安全与环境操作 、检验等技术要求 ,确立了硅基厚金属电镀工艺加工的程序 。 本文件适用于硅基MEMS制造技术中厚金属膜多层布线的电镀加工 。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件规定了硅基厚金属电镀工艺的加工能力 、保障条件 、材料 、安全与环境操作 、检验等技术要求 ,确立了硅基厚金属电镀工艺加工的程序 。 |
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| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
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| 标准发布公告 | 2025/3/5 7:12:40 | ||
*由中国国际科技促进会于2025/3/5 7:12:40在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2025/3/5 7:12:40
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