北京第三代半导体产业技术创新战略联盟自我承诺
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS 034—2024《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准遵循开放、公平、透明、协商一致和促进贸易和交流的原则，按照在本平台公布的《标准制定程序文件_CASAS》制定。T/CASAS 034—2024《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》团体标准规定的内容符合国家有关法律法规和强制性标准的要求，没有侵犯他人合法权益。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟在自愿基础上作出本承诺，并对以上承诺内容的真实性负责。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2024年10月28日
| 团体详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 团体名称 | 北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 | ||
| 登记证号 | 51110000MJ0118585E | 发证机关 | 北京市民政局 |
| 业务范围 | 技术研发，成果转化；咨询培训；会议会展；承办委托；交流合作；团体标准 | ||
| 法定代表人/负责人 | 吴玲 | ||
| 依托单位名称 | |||
| 通讯地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所五号楼五层 | 邮编 : 100083 | |
| 标准详细信息 | |||
|---|---|---|---|
| 标准状态 | 现行 | ||
| 标准编号 | T/CASAS 034—2024 | ||
| 中文标题 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | ||
| 英文标题 | Dynamic on-resistance test method for GaN high electron mobility transistor (HEMT) in zero-voltage-switching-on circuits | ||
| 国际标准分类号 | 31.080.01 半导体器分立件综合 | ||
| 中国标准分类号 | |||
| 国民经济分类 | C397 电子器件制造 | ||
| 发布日期 | 2024年09月30日 | ||
| 实施日期 | 2024年09月30日 | ||
| 起草人 | 吴新科、董泽政、贺致远、施宜军、明鑫、周峰、刘庆源、成年斌、刘雯、孙佳慧、文豪、谢斌、周泉斌、裴轶、田水林、刘小明、徐迎春、贾利芳、宋清亮、赵晨、徐昌国、王廷营、毛敏、刘钢、柳树渡、赵燕军、王福强、湛坤、林梓彦、王腾飞、蔡磊、赵璐冰。 | ||
| 起草单位 | 浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心、广东工业大学、工业和信息化部电子第五研究所、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、西交利物浦大学、香港科技大学、深圳智芯微电子科技有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、华为技术有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、英诺赛科(苏州)半导体有限公司、纳微达斯半导体（上海）有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、矽力杰半导体技术(杭州)有限公司、浙江聚新汽车电子有限责任公司、连云港杰瑞电子有限公司、晟星和科技（深圳）有限公司、杭州蔚斯博系统科技有限公司、深圳英飞源技术有限公司、深圳市航嘉驰源电气股份有限公司、东莞立讯技术有限公司、深圳市振华微电子有限公司、小米通讯技术有限公司、阳光电源股份有限公司、长城电源技术有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。 | ||
| 范围 | 本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品。 | ||
| 主要技术内容 | 本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品。 |
||
| 是否包含专利信息 | 否 | ||
| 标准文本 | 查看 | ||
| 标准公告 | |||
|---|---|---|---|
| 标准发布公告 | 2024/10/28 8:52:22 | ||
*由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟于2024/10/28 8:52:22在团体标准信息平台公布，最后修改时间：2024/10/28 8:52:22
评论