| 标准详细信息 | |
|---|---|
| 标准状态 | 已公布 |
| 标准编号 | T/IAWBS 025—2025 |
| 中文标题 | 碳化硅器件功率循环试验方法 |
| 英文标题 | Power cycling test methods for silicon carbide power devices |
| 发布日期 | |
| 实施日期 | |
| 范围 | 本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 |
| 主要技术内容 | 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤。 |
| 标准购买信息 | |
| 出售价格 | 0.00元 |
| 联系人 | 刘祎晨 |
| 联系电话 | 18931699592 |
| 手机号码 | 18931699592 |
| 传真 | |
| mishuchu@iawbs.com | |
| 简介 | |