2025年2月27日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。本次论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司 共同主办，极智半导体产业网、第三代半导体产业、重庆三安半导体有限责任公司、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，重庆大学、 重庆邮电大学、湖南三安半导体有限责任公司等单位协办。

围绕功率半导体制造及供应链中的诸多关键问题，论坛多方优势力量强强联合，院士领衔，专家齐聚，携手促进功率半导体全产业链协同发展。中国工程院院士、西北工业大学党委书记、教授李言荣，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜，重庆市政府副市长、西部科学城重庆高新区党工委书记马震，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲，福建三安集团董事长林秀成，三安光电股份有限公司副董事长林科闯，重庆市政府副秘书长凌凡，西部科学城重庆高新区党工委委员、管委会副主任彭世权，西永微电园公司副总经理陈昱阳以及重庆市发改委、经信委、科技局等相关部门的领导嘉宾，业内知名专家学者、企业领袖、行业组织领导出席会议。

第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、中国科学院半导体研究所原副所长杨富华主持了论坛开幕环节。

全球化和信息化的背景下，竞争日益激烈。功率半导体供应链的重要性更加凸显，生态协同成为产业持续发展的关键，产业链的协同发展与夯实，需要产业各环节的共同努力。

中国工程院院士、西北工业大学党委书记李言荣为论坛致辞时表示，功率半导体每一次突破都会带动整个工业电力电子方面很大的进步。功率半导体材料技术是基础性产业，当前我国基本建设和信息化发展速度非常快，应用场景需求驱动下，产业发展会充满创新活力，市场发展空间会越来越大。

半导体行业是全球化分工合作的产物，也是全球化进程的最大受益者之一。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲为论坛致辞时表示，我国正以开放合作的态度融入全球创新网络，但也面临诸多挑战，企业需找到适合自身优势的发展模式，产业体系和生态仍需完善。希望更多企业积极探索创新模式，秉承开放、共享、合作、共赢理念，共筑产业生态、共享发展机遇！

在世界半导体格局的变化中，中国已经成为全球最大的半导体市场之一。发展至今，我国在第三代半导体产业领域已经取得了很多成就。福建三安集团董事长林秀成为论坛致辞时表示，面对新的发展趋势，国内行业企业需积极开拓，紧密合作，在未来的产业格局中争取实现更好的发展。

重庆市政府副市长、西部科学城重庆高新区党工委书记马震致辞时表示，本次论坛聚焦第三代半导体未来发展，专家学者、精英翘楚齐聚一堂，优势企业、优质项目精准对接，必将为重庆不断壮大集成电路产业、持续提升“33618”现代制造业集群能级、加快建设国家重要先进制造业中心注入强劲动力，希望大家进一步深化与重庆合作，聚焦“四链”融合、“四侧”协同，携手扩大“朋友圈”、建设“生态圈”，共同推动重庆集成电路产业高质量发展，实现高水平互利共赢。

当前，功率半导体产业正在经历显著的技术进步和市场扩张，迎来前所未有的发展机遇与挑战，功率半导体技术不断迭代，第四代半导体材料如氧化镓和氮化铝也崭露头角，展现出巨大潜力。
 开幕大会主旨报告环节，中国科学院院士，武汉大学教授刘胜，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯，国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏，中国科学院半导体研究所副所长、研究员张韵，国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心原技术总师史冬梅等院士领衔的专家们，带来五大重量级报告，从产业趋势、挑战、技术等多维度探讨产业发展的未来，共议当前产业发展新态势，新机遇。电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）负责人、教授张波，南京大学电子科学与工程学院院长刘斌的联袂主持了大会主旨报告环节。

在当前的科技发展背景下，多场跨尺度协同设计成为应对复杂工业系统挑战的关键方法。随着芯片技术的进步，特别是在先进封装领域，传统的单一物理场分析已不足以应对微观结构的复杂性。中国科学院院士，武汉大学教授刘胜做了“多场跨尺度协同设计及国产软件“的主题报告，分享了最新技术进展。

刘胜认为，半导体制造与封装的未来发展依赖于多场跨尺度协同设计和工艺建模的突破。未来，半导体制造、封装工艺及可靠性自主工业软件将成为推动行业创新和发展的重要加速器。

当前，第三代半导体正重塑能源、通信、交通等领域，与此同时，全球半导体行业强劲增长，生成式AI芯片需求增加，数据中心建设推动增长带来产业契机。三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯做了”第三代半导体产业的契机、挑战与展望“的大会报告，分享了最新进展。其中，报告指出，高内需以及，5G/6G基站、高速服务器、消费电子强等强势领域成为产业契机。当前产业国际竞争激烈但各有优势，政策支持、技术突破、产业协同、市场拓展是我国第三代半导体产业发展的关键。高压碳化硅功率器件凭借高耐压、低损耗、高温稳定性等特性，在电网中逐步替代传统硅基器件。国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏带来了”高压碳化硅器件在电网中的应用及其挑战分析“的大会报告。其中，报告指出，新型电力系统建设要求从根本上改变了电网形态，亟需新型电力电子装备。硅器件性能参数已经接近极限，碳化硅器件的应用将大大推动电网柔性化、电力电子化进程。

氮化镓异质结晶体管凭借高电子迁移率、耐高压和高温特性，成为5G通信、电动汽车、数据中心电源等高功率场景的核心器件。高功率密度是当前技术竞争焦点，需突破材料、散热、封装和可靠性等关键技术。中国科学院半导体研究所副所长、研究员张韵带来了”氮化镓高功率密度异质结晶体管关键技术“的大会报告，分享了GaN基HEMT关键技术及GaN基高频芯片进展。其中，报告指出，硅基器件的信息处理能力和镓系化合物器件的感通测能力将以标准化集成的方式实现互为补充、相互融合的集成电路体系架构和统一的生态体系。

氧化镓与金刚石作为超宽禁带半导体“双星”，正在突破功率与频率极限。两者在“双碳”时代将形成互补生态。国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心原技术总师史冬梅带来了”氧化镓和金刚石超宽禁带半导体技术发展态势“的主题报告，分享了最新进展。论坛同期，特别设有先进半导体技术应用专业展区，聚集一批第三代半导体产业链优秀企业，提供一个交流合作的平台，助力捕捉合作新机遇。

值得一提的是，重庆是我国重要的电子信息产业基地之一，功率半导体领域表现突出，已经聚集了如华润微电子、安意法半导体、重庆芯联微等多家大型芯片工厂，形成了完整的产业链。论坛期间，组委会有序组织参会代表实地参观考察安意法半导体、华润微，深入发掘合作机会，共赢发展，机会难得，不容错过。