各成员单位：

按照CASAS相关管理办法，团体标准T/CASAS 057—2025《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》、T/CASAS 060—2025《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》已遵照流程完成制定工作，现予以发布。

T/CASAS 057—2025《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》

本文件主要起草单位：厦门三安集成电路有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、中山大学、广东工业大学、电子科技大学（深圳）高等研究院、深圳平湖实验室、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、诸暨市氮矽科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏能华微电子科技发展有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：叶念慈、刘成、徐涵、严丹妮、许亚坡、刘扬、贺致远、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、罗卓然、向鹏、贾利芳、刘家才、菅端端、武乐可、孙海洋、耿霄雄、谢斌、高伟。

T/CASAS 060—2025《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》

本文件主要起草单位：苏州晶湛半导体有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中山大学、中国科学院半导体研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、广东工业大学、大连理工大学、珠海镓未来科技有限公司、中国科学院微电子研究所，芯联集成电路制造股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：向鹏、程凯、卢国军、叶念慈、刘成、刘扬、贾利芳、施宜军、刘强、贺致远、黄火林、王中党、曾凡明、康玄武、王钰、王文平、高伟。

特此通知。

TCASAS 057发布通知.pdf

TCASAS 060发布通知.pdf